靜電放電一般用ESD表示，它會導致電子設備嚴重的損壞或操作失常。半導體專家以及設備的用戶都在想辦法抑制ESD，ESD能量的傳播有兩種方式：放電電流通過導體傳播或激勵一定頻譜寬度的脈沖能量在空間傳播。（
靜電放電發(fā)生器測試產(chǎn)品的靜電放電）
當兩個物體接觸時，其中一個趨于從另一個吸引電子，因而二者會形成不同的充電電位。物體通過摩擦或感應積累電量。摩擦起電是一個機械過程，依靠相對表面移動傳送電量。傳送的電量取決于接觸的次數(shù)、表面粗糙度、濕度、接觸壓力、摩擦物質的摩擦特性以及相對運動速度。一個人或一輛車所能帶的電量的電壓值很大程度上由它們的電容決定。
靜電放電在一個對地短接的物體暴露在靜電場中時發(fā)生。兩個物體之間的電位差將引起放電電流，傳送足夠的電量以抵消電位差。這個高速電量的傳送過程即為ESD。在這個過程中，將產(chǎn)生潛在的破壞電壓、電流以及電磁場。
與ESD相關的EMI能量上線頻率可以超過1GHz，取決于電平、相對濕度、靠近速度和放電物體的形狀。在這個頻率上，典型的設備電纜甚至印制板上的走線會變成非常有效的接收天線。因而，對于典型的模擬或數(shù)字電子設備，ESD傾向于感應出高電平的噪聲。
在ESD中，波源附近的電磁場常顯示出以下的趨勢：當電壓相對來說比較低時，脈沖窄并且上升沿陡，隨著電壓值增加時，脈沖變成具有長得拖尾的衰減振蕩波。
ESD場的研究采用解析分析的方法，它是基于一個簡單的電偶極子模型。電火花模型簡化為短的、與時間相關的線性元，位于無限大的接地平板上。輻射場是由兩個因素決定的：瞬態(tài)電流的值以及它的上升時間。其中一個因素可能比另一個更顯著，這取決于觀測點的位置是在ESD火花的近場區(qū)還是在遠場區(qū)。
電場傾向于激勵高阻天線和電壓敏感性電路，因而可以通過使某些潛在天線的阻抗變小而使這種激勵減小。但這樣可能增強磁場騷擾，因此磁場比電場更容易穿透低阻抗屏蔽。磁場容易激發(fā)孔洞和縫隙泄露，最容易被低阻天線特別是電路回路接收，因而避免使用回路是一條好的設計導則。但因為回路很難識別，不使用回路難以實現(xiàn)。
解析分析顯示ESD近場是磁場，磁場直接依賴于ESD電流。有此可以預測最大的場強與最大的電流電平有關。磁場的遠場與電場一樣，依賴于對時間的導數(shù)。因而，具有低電平，高速上升沿的ESD放電火花將對周圍的設備產(chǎn)生最大的騷擾。
